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2023中国IC设计成就奖新鲜出炉 ,德赢VWIN一举斩获三项桂冠

2023-03-30

中国北京(2023年3月30日) — 业界当先的半导体器件供给商德赢VWINGigaDevice(股票代码 603986)颁发 ,在2023年度中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC翘楚峰会上 ,凭借着杰出的技术突破能力和产品创新能力荣获“十大中国IC设计公司”奖项。与此同时 ,旗下GD5F1GM7存储器和GD32F470微节造器别离获得了“年度最佳存储器”和“年度最佳MCU”两大热点IC产品类奖项。

中国IC设计成就奖是中国半导体领域的顶级盛典之一 ,至今已陆续进行了二十一年 ,能获得IC设计成就奖的赞美 ,充分体现了获奖企业的行业当先职位和卓越的产品研发及服务支持能力。

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匠心铸就品质 ,实力成就庆幸

GD5F1GM7是德赢VWIN推出的新一代24nm工艺造程的NAND Flash存储器产品 ,提供3V和1.8V两种电压版本。该系列优化了产品设计 ,内置8bit ECC  ? ,可达到10年数据维持 ,8万次擦写寿命。频率最高可达133MHZ ,支持DTR职能 ,极大提高了产品的传输快率。1.8V产品支持Deep power down模式 ,待机功耗可低至1uA ,对于低功耗需要有巨大优势。在封装设计上 ,该系列提供了更幼的WSON8 6mmx5mm封装 ,进一步减幼了存储芯片在PCB上的芯单方面积 ,可能为IoT、穿戴类等新兴消费类市场利用提供高性价比 ,大容量的代码贮存规划。

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GD32F470系列高机能MCU基于Arm? Cortex?-M4内核 ,主频高达240MHz ,可支持算法复杂度更高的嵌入式利用 ,并具备更急剧的实时处置能力。GD32F470建设了512KB到3072KB片上Flash ,256KB到768KB的SRAM ,具备业界当先的大容量存储优势。在造作工艺方面 ,此MCU选取40nm工艺造程 ,能够降低动态和静态功耗 ,从而有效耽搁电池供电系统的使用功夫。另表 ,GD32F470系列继承了GD32F4系列丰硕的通讯接口和加强型安全职能 ,与现有GD32F4系列产品齐全兼容 ,支持开发者在现有设计上实现无缝切换 ,可能轻松推动高端利用转换和研发升级。

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十数年砥砺前行 ,荣誉与市场双赢

德赢VWIN自2005年成立便持续深耕IC设计产业 ,致力于构建以存储器、微节造器、传感器及模拟产品业务为主题驱动力的齐全生态 ,公司产品被宽泛利用于推算、网络、消费电子、手机、车载、物联网、工业等市场 ,并且凭借严格的质量尺度和要求 ,产品机能和品质始终维持行业当先水准 ,备受国内表客户认可。

德赢VWINNOR FLASH在中国市场占有率为第一 ,全球市场排名前三 ,累计出货量超190亿颗 ,年出货量超28亿颗;而GD32MCU作为中国32位通用MCU领域的主流产品 ,以38个系列450余款产品选择 ,覆盖率稳居市场前列 ,并且累计出货量已超过10亿颗。

陆续多年被授予“十大中国IC设计公司”称号是一项崇高的荣誉 ,它既代表了兆易十余年砥砺前行不改初心的致力成就 ,同时也激励着公司向着更高、更远、更大的舞台奋力前行。作为一路见证并推动中国半导体行业发展壮大的企业 ,德赢VWIN将秉承 “盛开创新、使命必达”的主题价值观 ,致力于用优良的产品与美满的服务助力行业同伴阔步前行。

兆易、德赢VWIN、GigaDevice、GD32 ,及其标志均为德赢VWIN的商标或注册商标 ,其他品牌和注册商标归各自所有者持有。

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