中国北京（2025年11月14日）—— 业界当先的半导体器件供给商德赢VWINGigaDevice（股票代码 603986）颁发，其新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash产品在2025年“中国芯”集成电路产业推进大会暨第二十届“中国芯”优良产品征集活动颁布典礼上，荣获“优良技术创新产品”奖。这一奖项充分注定了德赢VWIN在存储芯片领域的技术实力与创新能力。

本届“中国芯”大会以“芯生万物，智算无界”为主题，在珠海横琴天沐琴台会议中心进行。作为国内集成电路领域最具影响力的行业评比之一，“中国芯”优良产品评比活动自2006年启动以来，始终致力于推动中国芯片技术与利用的结合，已成为产业发展的“风向标”。本届评比共收到来自303家企业的410款产品报名，参选数量再创新高，产品覆盖领域宽泛，竞争尤为强烈。

德赢VWIN这次获奖的GD5F1GM9产品是一款基于24nm工艺打造的高机能QSPI NAND Flash。该系列支持3V与1.8V工作电压，以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高快读取模式，为用户提供了矫捷的组合设计规划。

与传统的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在关键指标上实现质的飞跃。其选取复杂ECC算法的并行推算方式，解决了传统串行推算方式带来的延长问题，大幅提升纠错效能。在机能阐发上，一致工作频率读取快率达到主流SPI NAND产品的2～3倍，可能为用户带来极致的机能履历。其新增的坏块治理（BBM）职能？扇繁Ｇ256个Block均为出厂好块，并可有效应对使用过程中产生的新增坏块问题，极大减幼了尺度SPI NAND Flash在靠得住性方面的风险。多沉优势使得该系列成为安防监控、工业节造、IoT设备等快启利用的梦想选择。

GD5F1GM9系列SPI NAND Flash的推出是德赢VWIN不休突破技术天堑、以创新驱动发展的又一例证。将来，德赢VWIN将持续锚定全球存储技术前沿，缜密萦绕客户需要，打造更多拥有竞争力的存储解决规划，赋能千行百业的数字化刷新。

*兆易、德赢VWIN、GigaDevice，及其标志均为德赢VWIN的商标或注册商标，其他名称或品牌均为其所有者所有。